高三2024届高考冲刺卷(一)1理科综合A(全国卷)答案正在持续更新，目前2026届黄冈八模答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

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6、2024高考冲刺试卷四
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8、2024年高考冲刺卷(全国卷)理综答案
9、2024高考冲刺模拟试卷汇编
10、2024高三冲刺联考理综

34.【物理一选修3一4]〔15分）(1(5分)1：“5m处的振源做振幅为8cm的简诺运动，形成一列沿x轴正方向传播的筒谐横泣1=0时刻的被形如图所示x轴上P,Q两质点的坐标分别为1m和9m11.3时质点Q第一次处于波谷.下列说法正确的是《填正确答案标号。选对1个得2分，选对2个得4分，选对3个得5分，每选错1个扣3分，最低得分为0分)A波源的起振方向向上B.这列被的周期为0.2s人打回C.这列波的传播速度为10ms[).t=0.4s时，质点P第一次到达菠蜂E.当质点Q第一次到达波峰时.质点P通过的路程为？m(2(10分)当大阳光照射到空气中的水演时，光浅被折射及反射后，便老成了彩虹、如图所示。一束单色光以入射角。=行射入空气中的球彩水滴，折射两条亮浅1”（只考虑光在水滴内的第一次反射已知人射光线与出射光线？之阿的偏问角。1”求：(1)水滴对单色光的折射率”：(前)出射光线1、2的夹角9.状象帽地射北线街时我线】35.[化学一物质结构与性质](5分》，：1p9硅(S)、硒(S)、稼(a)、储()的单质校某托化金物熬是颗空默天测控，光纤通信等领域常用的半导体材料。刷容列问题：(1)制造手机芯片需要高纯度醒·晶体酵属品体，可容下氧氟酸生成额气。写出晶体硅与氢氯酸反位的化学方程式：(2)基态硒原子的价电子排布圈与，爵：硅均能氢元素形成气态氧化物，硅的氯化物的分子中共用电子对偏向气系子，列篆气专药乏应时巢质爵是氧化剂，则电负性大小为S人《填“或、“、.上的文体构节为(3)嫁和砷都是第四周期的元素.则第一电离能：(填“大于”或“小于)As。GaN.GaAs的晶体类型与晶体硅相同，试解释.熔点GaN>GaAs的原因：A(4)氮化家是一种重要的半导体材料，其立方晶胞结构如否所示，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数为☑。已知晶跑边长为apm,若该晶体的密度为pg·cm3,则阿伏加德罗常数的值Na=(只列出计算式即可)：