[榆林四模]榆林市2023-2024年度高三第四次模拟检测答案(化学)正在持续更新，目前2026届黄冈八模答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

本文从以下几个角度介绍。

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20.(12分)缺陷工程是提高SIBs性能的一种重要手段，由于缺陷的种类多样性和可人或提取原子的极高选择性，研究人员可以在微观层面精准操控晶体结构，从而实现所需的性能优化。硒(S)铜材料内部引人铟(In),显著提高了材料对于Na+的存储能力。回答下列问题：(1)n的原子序数为49号，基态In的价电子的自旋量子数之和为,其位于元素周期表的区。(2)某磁性材料载体的结构如图a所示，该载体中含有的官能团有6)种，含氧官能团的名称为图E(3)邻氨基吡啶的铜配合物在有机不对称合成中起催化诱导效应，其结构简式如图b所示，邻氨基吡啶的铜配合物中Cu+的配位，Cu(OOCCH)数是。物质中含的大π键，可用符号Ⅱ表示，其中代表参与形成大π键的原子数，n代表参与形成大π键的电子数（如苯分图b子中的大π键可表示为)，则邻氨基吡啶(中环外的NHNCH,原子与环可形成整体的大π键，则所含大π键可表示为有机物CH=C一CH的名称为(用系统命名法)，其含有Ⅱ⑧的大π键，则可能共面的原子数最多有个。(4)某硒(Se)铜材料中掺杂In后，晶胞发生的变化如图所示，图a、图c为立方晶胞，图b为四方晶胞，晶胞内未标出因掺杂而产生的0价Cu原子。Cun图a图b图c①写出第一步掺杂In的过程反应化学方程式为②图c的晶胞中In的化合价为+1和+3，则两种价态的In原子个数比为高二化学试题第8页（共8页）