2026年衡水金卷先享题·信息卷 普通高中学业水平选择性考试模拟试题(一)1化学HU答案正在持续更新，目前2026届黄冈八模答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

（5）H++OH"—H2O（1分。答成“H++CO²一HCO”不扣分；其他不得分）（6）向水垢中加入足量饱和NazCO溶液，振荡静置一段时间，倒出溶液，然后向容器中加入适量稀盐酸，再振荡溶解即可（2分。按得分点给分：答到“加入足盐酸”答成“醋酸或硝酸”也得分；其他合理答案酌情给分）18.（14分）（1）将芯片粉碎（或“适当增大H2SO4浓度”；或“搅拌”）（1分。答成“升高温度”不得分）(2）H2SeO3H2O（2分。写对一个且配正确得1分）（3）99.9%（2分）In3+离子半径大于Ga3+，更易与P204形成稳定配位化合物（或“Ga+离子半径小，难于与P204形成稳定配位化合物”）（（2分。按得分点给分：答到与结构有关描述正确得1分，答到配位常数大小不同得1分）（4）镓沉淀不完全（1分）Ga(OH);溶解生成[Ga(OH)4]（1分。答到“Ga（OH)溶解”即得分）（5）[Ga（OH)4]+3e=Ga+4OK（2分）(6)①（1分）404404×1030/34x(70+31)×1010或或PNA4PNAPNA×10-304×（70+31)或X1010PNA（2分。其他表达式正确即得分）19.(14分)1）（1分。2s、2p写在上方也得分）2s2p（HV-HVHV+HVZ）HV+HV（2分。如果多写等式，1对1错扣1分，1对2错不得分）③>（1分）<（1分）